×

Вы используете устаревший браузер Internet Explorer. Некоторые функции сайта им не поддерживаются.

Рекомендуем установить один из следующих браузеров: Firefox, Opera или Chrome.

Контактная информация

+7 961 270-60-01
ivdon@ivdon.ru

Исследование влияния параметров диода Ганна и неоднородности легирования на его режимы работы с помощью физико-топологической модели

Аннотация

Цымбалов А.А.

Дата поступления статьи: 17.04.2018

При моделировании процессов переноса горячих носителей в сильных электрических полях и применении различных математических соотношений, описывающих эти процессы, обычно не учитывают неоднородности примесного легирования, которые влияют на распределение поля и плотность выходного тока. В настоящей работе был проведен расчет распределения поля вдоль длины чипа диода. При этом была использована одномерная модель и феноменологический подход к описанию поведения носителей. Полученные результаты позволяют оценить влияние неоднородности на режимы работы диода Ганна и могут быть использованы для создания моделей более высоких порядков.

Ключевые слова: диод Ганна, численное моделирование, неоднородность легирования, физико-топологическая модель

01.04.10 - Физика полупроводников

`