×

Вы используете устаревший браузер Internet Explorer. Некоторые функции сайта им не поддерживаются.

Рекомендуем установить один из следующих браузеров: Firefox, Opera или Chrome.

Контактная информация

+7 961 270-60-01
ivdon@ivdon.ru

  • Cтруктура эпитаксиальных слоев узкозонных твердых растворов и компенсация дефектов

    • Аннотация
    • pdf

    Обсуждаются экспериментальные исследования структуры эпитаксиальных слоев элементной базы оптоэлектроники ближнего ИК диапазона. Рассмотрены возможности формирования в поле температурного градиента эпитаксиальных пленок узкозонного материала – антимонида-висмутида индия с управляемым по геометрии слоя составом. Описана технология получения твердых растворов на основе соединений А3В5 методом возвратно-поступательного движения жидкого включения в поле градиента температуры. Определены условия обогащения эпитаксиальных слоев компонентами с низкой растворимостью. Показано, что факторами управления являются стартовый состав расплава, его топология, дистанция термомиграции, градиент температуры и количество циклов перемещения жидкой зоны. В частности, там, где это необходимо, можно получить однородный по координате роста слой при исходном варизонном распределении компонентов. В ходе многостадийного процесса оказываются возможными программируемые скачки концентраций и, в перспективе, получение мезоструктуры слоя (сверхрешетки с периодом 300 нм и менее). Приведены результаты рентгеноструктурных исследований узкозонных твердых растворов, показаны пути формирования пленок с заданным распределением компонентов. Определено предельное содержание висмута в структуре с допустимым уровнем дефектов. Для системы InSbBi-InSb уточнено значение постоянной решетки.

    Ключевые слова: твердые растворы, перекристаллизация, градиентная жидкофазная эпитаксия, термомиграция, антимонид-висмутида индия, толщина расплава, градиент температуры, компоненты, координата роста, эпитаксиальные слои

    01.04.07 - Физика конденсированного состояния

  • Физические свойства многокомпонентных узкозонных твердых растворов с мезоструктурой

    • Аннотация
    • pdf

    В статье осуществлено моделирование фазовых равновесий в многокомпонентных системах соединений А3В5 и рассчитаны составы жидкой фазы, равновесной с заданным твердым раствором. Применена модель избыточных термодинамических функций, в которой учитываются процессы образования ассоциатов в расплаве вблизи температур солидуса. Разработанный алгоритм позволяет решать и прямую задачу (в которой входными параметры являются температура роста слоев и состав твердой фазы, отвечающий ожидаемым приборным характеристикам) и обратную задачу (по заданной жидкой фазе ищется температура роста и состав твердого раствора). Определены предельные концентрации легирующих компонентов – мышьяка и висмута. Обсуждаются структурные и электрофизические характеристики многокомпонентных полупроводниковых гетеросистем А3В5, твердые растворы которых кристаллизуются из жидкой фазы в градиентном тепловом поле. Впервые качественно описан механизм внедрения примесей в решетку эпитаксиальных слоев многокомпонентных твердых растворов. С увеличением толщины кристаллизуемой пленки термодинамически равновесное замещение атомами висмута сурьмы завершается и имеет место внедрение атомов Bi в междоузлия. Взаимодействие соседних атомов с валентными электронными оболочками Bi становится более симметричным, что обусловливает рост концентрации. При этом возрастает также концентрация дефектов пленки вблизи ее тыльной поверхности. Полученные значения электрофизических параметров позволяют сделать вывод о приборной пригодности исследуемых материалов.

    Ключевые слова: твердые растворы, мезоструктура, антимонид, легирование, жидкая фаза, фазовые превращения, бинарные соединения, ассоциаты, постоянная решетки, многокомпонентные системы

    01.04.07 - Физика конденсированного состояния

  • Физические свойства светоизлучательных твердых растворов, изопериодных антимониду галлия

    В работе содержится анализ результатов экспериментов по получению излучательных структур на основе антимонида галлия, формируемых методом термомиграции расплава в полупроводниковой матрице.

    Ключевые слова: термомиграция, твердые растворы, градиентная эпитаксия, диод с мелкой мезой, антимонид галлия, фундаментальный переход, спектры фотолюминесценции

    01.04.07 - Физика конденсированного состояния

  • Прецизионные аналоговые интерфейсы на базе двух мультидифференциальных операционных усилителей.

    Рассмотрены методы и результаты проектирования инструментальных усилителей на двух МОУ которые позволяют существенно уменьшить как напряжение дрейфа нуля схемы, так и ее коэффициент передачи синфазного напряжения. В практическом отношении данные методы позволяют решить важную задачу построения прецизионных аналоговых интерфейсов для мостовых резистивных датчиков, функционирующих в широком температурном диапазоне. Также появляется возможность использовать многоразрядные АЦП с существенно более низким опорным напряжением.   

    Ключевые слова: смешанные системы на кристалле, инструментальные усилители, синфазный сигнал, мультидифференциальный ОУ, напряжение дрейфа нуля, температурный диапазон, многоразрядные АЦП.

    05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления

  • Цепи собственной и взаимной компенсации в симметричных каскадах КМОП операционных усилителей

      В работе рассматривается особенность применения цепей собственной и взаимной компенсации в схемотехнике дифференциальных каскадов на КМОП-транзисторах. Показано, что их композиция позволяет существенно увеличить дифференциальный коэффициент усиления в симметричных каскадах с динамической нагрузкой, заметно уменьшить коэффициент передачи синфазного сигнала и расширить диапазон рабочих частот. В качестве примера приведена эволюция базовой принципиальной схемы симметричного каскада и результаты её моделирования в Cadence Virtuoso.

    Ключевые слова: микросхемотехника, структурный синтез, сложно-функциональные блоки, дифференциальный каскад, КМОП-транзистор, система на кристалле

    05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления

  • Радиационно-стойкий измерительный усилитель на базе мультидифференциальных входных каскадов

      В работе предложена функциональная схема мультидифференциального операционного усилителя, которая в отличие от традиционных операционных усилителей, имеет несколько инвертирующих и неинвертирующих входов, обеспечивающих относительно большое входное граничное напряжение. Применение базовых обратных связей по синфазному сигналу позволило повысить коэффициент ослабления синфазного напряжения по обоим каналам. Использование дополнительных пассивных элементов в эмиттерных цепях мульдифференциального каскада позволило повысить граничное напряжение операционного усилителя, скорость нарастания его выходного напряжения, обеспечить высокую точность отношений коэффициентов передачи каналов, а также повысить стабильность соответствующих параметров измерительных средств на основе мультидифференциального операционного усилителя.

    Ключевые слова: система на кристалле, входной каскад, радиация, усилитель, аналого-цифровой преобразователь, биполярный транзистор, полевой транзистор

    05.13.05 - Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления

  • Социально-экономическая уверенность посредством градостроительной организации в расселении

    • Аннотация
    • doc

    Обобщение типологических особенностей инфраструктуры воинских формирований Псковской области в структуре Федерального округа, причины современного состояния, предложения по оптимизации архитектурно-планировочной среды.
    Ключевые слова: расселение, архитектурное структурирование, инфраструктура, территориальное планирование, границы территориальных формирований, районные коэффициенты, оценка территории.

    05.23.22 - Градостроительство, планировка сельских населенных пунктов