×

Вы используете устаревший браузер Internet Explorer. Некоторые функции сайта им не поддерживаются.

Рекомендуем установить один из следующих браузеров: Firefox, Opera или Chrome.

Контактная информация

+7 961 270-60-01
ivdon@ivdon.ru

Оценка влияния дислокационных петель и дислокаций несоответствия на распределение Ge в пленке SiGe/Si

Аннотация

Бычков А.А.

Дата поступления статьи: 28.11.2016

Выполнен расчет равновесного распределения Ge и плотности упругой энергии в полупроводниковой пленке SiGe/Si. Построена трехмерная модель плоской пленки с пирамидальными островками и дислокациями. Расчет упругих деформаций выполнен с использованием метода конечных элементов. В рассматриваемой модели учитывается неоднородное распределение Si и Ge из-за проникающих дислокаций, напряжений несоответствия и дислокационных петель. Обнаружено, что при учете неоднородности распределения компонент сплава переход к образованию эпитаксиальных островков на поверхности пленки происходит при меньших значениях их критического размера, что особенно заметно при малых концентрациях Ge в сплаве.

Ключевые слова: германий, тонкая пленка, гетероэпитаксия, SiGe, дислокации несоответствия, проникающая дислокация, плотность упругой энергии, дислокационная петля

01.04.07 - Физика конденсированного состояния

Начиная с № 3 2014 на сайте журнала статьи предоставлены только в PDF и Word Форматах.

Читать статью в формате PDF