×

Вы используете устаревший браузер Internet Explorer. Некоторые функции сайта им не поддерживаются.

Рекомендуем установить один из следующих браузеров: Firefox, Opera или Chrome.

Контактная информация

+7 961 270-60-01
ivdon@ivdon.ru

Анализ усилителей СВЧ на резонансно-туннельных диодах

Аннотация

Осадчий Е.Н.

Дата поступления статьи: 22.09.2017

В работе проанализированы характеристики усилителей на резонансно-туннельных диодах (РТД) с помощью метода медленно меняющихся амплитуд при больших сигналах и при работе на частотах, близких к резонансной. Выявлено, что нелинейные и резонансные свойства усилителя на РТД связаны и зависят друг от друга; нелинейность ВАХ РТД придает резонансным кривым такой вид, который обычно бывает в случае нелинейной реактивности. Установлено, что при больших сигналах необходимо учитывать зависимость емкости гетероперехода от напряжения, что будет усложнять ход резонансных кривых.При этом рассматривается наиболее полная эквивалентная схема РТД без упрощений.

Ключевые слова: усилитель на резонансно-туннельных диодах, эквивалентная схема, амплитудно-частотная характеристика, область неустойчивости, колебательная характеристика, параметр регенерации

05.23.17 - Строительная механика

08.00.05 - Экономика и управление народным хозяйством (по отраслям и сферам деятельности)

Начиная с № 3 2014 на сайте журнала статьи предоставлены только в PDF и Word Форматах.

Читать статью в формате PDF