×

Вы используете устаревший браузер Internet Explorer. Некоторые функции сайта им не поддерживаются.

Рекомендуем установить один из следующих браузеров: Firefox, Opera или Chrome.

Контактная информация

+7-863-218-40-00 доб.200-80
ivdon3@bk.ru

Математическое моделирование магнитного поля в окрестности узкого капилляра при различных значениях гематокрита

Аннотация

Копыльцов А.В.

Дата поступления статьи: 10.06.2023

Построена математическая модель магнитного поля, порождаемого отрицательными зарядами на мембранах эритроцитов, в окрестности узкого капилляра. Получены распределения напряженности магнитного поля как в окрестности одиночного эритроцита, перекатывающегося вдоль узкого капилляра, так и в окрестности капилляра, по которому перемещаются несколько эритроцитов, при различных значениях гематокрита. Найдена зависимость максимального значения напряженности магнитного поля в окрестности капилляра от гематокрита. В частности, показано, что на расстояниях от капилляра, равных 8 диаметрам капилляра, максимальное значение напряженности магнитного поля изменяется (в зависимости от направления) в 1,29 1,36 раза при увеличении гематокрита от 12,27% до 18,25%.

Ключевые слова: математическая модель, магнитное поле, заряд, мембрана, эритроцит, капилляр, гематокрит

1.2.2 - Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ

3.1.28 - Гематология и переливание крови

.